Sandisk 預估 2030 年 AI 資料中心需求接近 NAND 產業

☘️ Article

孟恭觀點

• SNDK 1Q
• 看起來整個 nand 市場開始收斂現貨市場，此外 SLC 有可能是新的變數，由於其會吃掉更多產能
• 已簽 NBM 佔 FY27 bit 約 50%、FY28 約 2/3。對照同業，SK hynix 簽 14 家 LTA、Samsung 簽 10 家、另 10 家洽談中、Kioxia 目標 2028 年 LTA 佔 50% (source:TF)
• CEO 認為 KV cache 到 2030 年會佔 AI 資料中心 flash 約 1/3，AI 資料中心需求規模會接近今天整個 NAND 產業
• 客戶在架構討論中要求 SLC，理由是 agentic 工作負載的耐久度
• SLC 對 TLC/QLC 的 trade ratio 是 3:1 到 4:1，如果 SLC 需求成形，會直接吃掉 TLC/QLC 供給
• 推論與 agent orchestration 的 NAND 需求跟著 CPU 走，約每顆 CPU 60-90 GB
• Sandisk 維持中高十位數 bit 成長、中個位數 capex 比，跟同業一樣維持擴產紀律，保守看緊到 2028
• Intel 財報被拿來問，記憶體漲價與缺貨幹翻 PC 需求。SNDK 認為現在這兩季是 yoy 最鳥的谷底。對記憶體廠來說也不完全是需求打擊，他們更主動供應 datacenter
• 第一顆 HBF die 已 tape out，HBF 不在 2030 財務模型內，定位是補 HBM 容量層，承接大模型、長 context、膨脹的 KV cache

✍️ Abstract

三句話總結

• KV cache 推升 AI 需求：SanDisk CEO 預期 KV cache 到 2030 年將佔 AI 資料中心 flash 約 1/3，使 AI 資料中心需求規模接近今天整個 NAND 產業，並認為 PC 需求受漲價、缺貨壓抑的這兩季是 年增率谷底。
• SLC 需求排擠 TLC、QLC：客戶因 agentic 工作負載的耐久度要求 SLC，其 3:1~4:1 的 trade ratio 會直接吃掉 TLC、QLC 供給，而首顆 HBF die 雖已 tape out，仍未納入 2030 年財務模型。
• NAND 原廠改簽長約：整體市場開始收斂現貨，SanDisk 已簽 NBM 佔 FY27 bit 約 50%、FY28 約 2/3，且與同業一樣維持擴產紀律、保守看緊到 2028 年。

Q2 財測指引

• 營收與毛利：GAAP 與 Non-GAAP 營收預期一致，毛利率維持在 (84.4~85.5)% 高檔區間。
  • 營收 (Revenue)：GAAP 與 Non-GAAP 皆為 $12,200M~$12,600M。
  • 毛利率 (Gross Margin)：GAAP 為 (84.4~85.4)%，Non-GAAP 為 (84.5~85.5)%。
• 營業費用與稅率：Non-GAAP 營業費用顯著低於 GAAP，並提供實質稅率指引。
  • 營業費用 (Operating Expenses)：GAAP 為 $677M~$745M，Non-GAAP 為 $540M~$560M。
  • 稅費 (Tax Expense)：GAAP 為 N/A，Non-GAAP 預估為 14.3%。
• 獲利表現與股數：Non-GAAP 預估稀釋每股盈餘達 $55.00~$57.00，流通股數維持一致。
  • 稀釋每股盈餘 (Diluted Net Income per Share)：GAAP 為 N/A，Non-GAAP 為 $55.00~$57.00。
  • 稀釋流通股數 (Diluted Shares Outstanding)：GAAP 與 Non-GAAP 皆為 151M (in millions)。

孟恭觀點分析

• NAND 現貨收斂：整個 NAND (儲存型快閃記憶體) 市場看起來開始收斂現貨市場，SanDisk 已簽 NBM (非拘束性備忘錄) 佔 FY27 bit (位元) 約 50%、FY28 約 2/3。
  • 對照同業，SK hynix 簽 14 家 LTA (長期供貨協議)、Samsung 簽 10 家，且另 10 家洽談中、Kioxia 則目標 2028 年 LTA 佔 50% (消息來源為 TF)。
• KV cache 推升需求：SanDisk CEO 預期 KV cache (鍵值快取) 到 2030 年將佔 AI 資料中心 flash (快閃記憶體) 約 1/3，AI 資料中心需求規模將接近目前整個 NAND 產業。
• SLC 恐成產能變數：客戶在架構討論中因 agentic (代理式) 工作負載的耐久度要求 SLC (單層單元)，由於 SLC 每個儲存單元僅能存放 1 bit，而 TLC (三層單元)、QLC (四層單元) 分別可存放 3、4 bit，因此儲存相同容量的資料，SLC 理論上需要約 3～4 倍的儲存單元，若 SLC 需求成形，將大幅消耗產能，並直接排擠 TLC、QLC 供給。
• 推論需求連動 CPU：推論、agent orchestration (代理編排) 的 NAND 需求跟著 CPU (中央處理器) 走，每顆 CPU 約需 60~90 GB。
• SanDisk 維持擴產紀律：維持 中高十位數 bit 成長、中個位數 capex (資本支出) 佔比，與同業一致嚴守供給紀律，保守看緊產能至 2028 年。
• PC 疲弱促使產能轉向：記憶體漲價、缺貨 壓抑 PC 需求，SanDisk 認為未來兩季可能是年增率低谷。但對記憶體廠而言，這也反映產能優先轉向資料中心，而非單純的終端需求衰退。
• HBF 完成設計定案：首顆 HBF (高頻寬快閃記憶體) die (裸晶) 已完成 tape out (設計定案)，目前未納入 2030 年財務模型，其定位在於補足 HBM (高頻寬記憶體) 容量層，負責承接 大模型、長 context (上下文)、持續膨脹的 KV cache。

專有名詞

• SanDisk：本文中指其 Q1 財務指引與對記憶體產業供需趨勢的觀察。
• NAND：本文指整體市場正收斂現貨供應，並轉由長約主導。
• SLC (Single-Level Cell)：每個儲存單元僅存放 1 個位元的快閃記憶體技術，具備極高 耐久度、速度，本文指客戶因代理工作負載需求重啟要求，而恐大幅消耗產能。
• NBM (Non-Binding Memorandum)：不具法律強制約束力的商業合作意向備忘錄，本文指 SanDisk 已與客戶簽署，以鎖定未來特定比例位元出貨的合約。
• LTA：本文指記憶體大廠用以鎖定 客戶、產能 的合約模式。
• KV cache：本文預期至 2030 年將佔據 AI 資料中心快閃記憶體約 1/3 需求。
• TLC (Triple-Level Cell)：每個儲存單元存放 3 個位元的快閃記憶體技術，兼顧 儲存密度、成本，本文指其產能供給面臨客戶轉向 SLC 的排擠。
• QLC (Quad-Level Cell)：每個儲存單元存放 4 個位元的高密度快閃記憶體技術，適合大容量儲存，本文指其市場供給面臨客戶對 SLC 需求增加，而遭受壓縮。
• CPU：本文指在 推論、代理編排 架構中，作為評估快閃記憶體配置需求的基準硬體單位。
• Capex：本文指記憶體製造商維持產能紀律，將其佔比控制在中個位數，以防止供給過剩。
• HBF：本文首顆晶片已完成設計定案，定位為補充高頻寬記憶體容量層，以承接 大模型、擴張的快取負載。
• HBM：本文指當前 AI 運算的主要記憶體層，由 HBF 作為其下層容量補充。
• GAAP：本文出現在財報指引中，作為法定財務指標計算基準。
• Non-GAAP：本文出現在財報指引中，用以呈現營運展望。